Производитель Номер продукта:
TSM4NC60CI C0G
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM4NC60CI C0G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Инвентаризация:
12895445
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM4NC60CI C0G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
654 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TSM4NC60CIC0G
TSM4NC60CI C0G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH4007SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
DMP213DUFA-7B
MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
TSM80N1R2CL C0G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
